Изображения являются только для ссылки
IXFE180N10
+БОМMOSFET N-CH 100V 176A SOT227B
-
ПроизводительИКСИС
-
Мфр. Часть #IXFE180N10
-
Лист данных IXFE180N10 DataSheet
-
В наличии5829
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | IXYS |
| Package / Case | Tube |
| Series | HiPerFET™ |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 176A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 8mOhm @ 90A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 4V @ 8mA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 360 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 9100 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 500W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Supplier Device Package | SOT-227B |
