IXFH26N60P

Изображения являются только для ссылки

IXFH26N60P

+БОМ

MOSFET N-CH 600V 26A TO247AD

  • ПроизводительИКСИС

  • Мфр. Часть #IXFH26N60P

  • В наличии2024

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series HiPerFET™, Polar
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 26A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 270mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 4mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4150 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 460W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247AD (IXFH)

Продукты, связанные с IXFH26N60P