IXFH8N80

Изображения являются только для ссылки

IXFH8N80

+БОМ

MOSFET N-CH 800V 8A TO247AD

  • ПроизводительИКСИС

  • Мфр. Часть #IXFH8N80

  • Лист данных IXFH8N80 DataSheet

  • В наличии2735

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series HiPerFET™
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 1.1Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4.5V @ 2.5mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 2600 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247AD (IXFH)

Продукты, связанные с IXFH8N80