IXFN24N100F

Изображения являются только для ссылки

IXFN24N100F

+БОМ

MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B

  • ПроизводительИКСИС

  • Мфр. Часть #IXFN24N100F

  • В наличии7734

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series HiPerRF™
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 24A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 390mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5.5V @ 8mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 195 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 6600 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 600W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Supplier Device Package SOT-227B

Продукты, связанные с IXFN24N100F