IXFN27N80

Изображения являются только для ссылки

IXFN27N80

+БОМ

MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

  • ПроизводительИКСИС

  • Мфр. Часть #IXFN27N80

  • В наличии7805

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series HiPerFET™
Part Status Not For New Designs
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 27A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V, 15V
Rds On(Max) @ Id Vgs 300mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4.5V @ 8mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 400 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 9740 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 520W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Supplier Device Package SOT-227B

Продукты, связанные с IXFN27N80