Изображения являются только для ссылки
IXFN30N110P
+БОМMOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
-
ПроизводительИКСИС
-
Мфр. Часть #IXFN30N110P
-
В наличии9963
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | IXYS |
| Package / Case | Tube |
| Series | HiPerFET™, Polar |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1100 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 360mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 235 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±30V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 13600 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 695W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Supplier Device Package | SOT-227B |
