IXFN55N50F

Изображения являются только для ссылки

IXFN55N50F

+БОМ

MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B

  • ПроизводительИКСИС

  • Мфр. Часть #IXFN55N50F

  • В наличии2969

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series HiPerFET™, F Class
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 55A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 85mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5.5V @ 8mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 195 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 6700 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 600W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Supplier Device Package SOT-227B

Продукты, связанные с IXFN55N50F