IXFN80N50Q2

Изображения являются только для ссылки

IXFN80N50Q2

+БОМ

MOSFET N-CH 500V 72A SOT227B

  • ПроизводительИКСИС

  • Мфр. Часть #IXFN80N50Q2

  • В наличии3403

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series HiPerFET™, Q2 Class
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 72A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 60mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4.5V @ 8mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 12800 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 890W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Supplier Device Package SOT-227B

Продукты, связанные с IXFN80N50Q2