IXFT60N50P3

Изображения являются только для ссылки

IXFT60N50P3

+БОМ

MOSFET N-CH 500V 60A TO268

  • ПроизводительИКСИС

  • Мфр. Часть #IXFT60N50P3

  • В наличии3759

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series HiPerFET™, Polar3™
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 60A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 100mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 4mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 96 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 6250 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 1040W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-268AA

Продукты, связанные с IXFT60N50P3