Изображения являются только для ссылки
IXKP10N60C5M
+БОМMOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP
-
ПроизводительИКСИС
-
Мфр. Часть #IXKP10N60C5M
-
Лист данных IXKP10N60C5M DataSheet
-
В наличии3196
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | IXYS |
| Package / Case | Tube |
| Series | CoolMOS™ |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 5.4A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 385mOhm @ 5.2A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 3.5V @ 340µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 790 pF @ 100 V |
| FET Feature | Super Junction |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220ABFP |
