IXRFSM12N100

Изображения являются только для ссылки

IXRFSM12N100

+БОМ

MOSFET N-CH 1000V 12A 16SMPD

  • ПроизводительИКСИС-РФ

  • Мфр. Часть #IXRFSM12N100

  • В наличии3674

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier IXYS-RF
Package / Case Tube
Series SMPD
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 15V
Rds On(Max) @ Id Vgs 1.05Ohm @ 6A, 15V
Vgs(th)(Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 77 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 2875 pF @ 800 V
Power Dissipation (Max) 940W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package 16-SMPD

Продукты, связанные с IXRFSM12N100