IXTA110N12T2

Изображения являются только для ссылки

IXTA110N12T2

+БОМ

MOSFET N-CH 120V 110A TO263

  • ПроизводительИКСИС

  • Мфр. Часть #IXTA110N12T2

  • В наличии3850

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series TrenchT2™
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 120 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 110A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 14mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 6570 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 517W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-263AA

Продукты, связанные с IXTA110N12T2