IXTH14N100

Изображения являются только для ссылки

IXTH14N100

+БОМ

MOSFET N-CH 1000V 14A TO247

  • ПроизводительИКСИС

  • Мфр. Часть #IXTH14N100

  • В наличии4406

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series MegaMOS™
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 14A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 820mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 195 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 5650 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 360W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247 (IXTH)

Продукты, связанные с IXTH14N100