IXTH60N20X4

Изображения являются только для ссылки

IXTH60N20X4

+БОМ

MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-247

  • ПроизводительИКСИС

  • Мфр. Часть #IXTH60N20X4

  • В наличии497

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 60A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 21mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 2450 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247 (IXFH)

Продукты, связанные с IXTH60N20X4