IXTM35N30

Изображения являются только для ссылки

IXTM35N30

+БОМ

MOSFET N-CH 300V 35A TO204AE

  • ПроизводительИКСИС

  • Мфр. Часть #IXTM35N30

  • В наличии9108

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series GigaMOS™
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 300 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 100mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4600 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-204AE

Продукты, связанные с IXTM35N30