IXTP7N60PM

Изображения являются только для ссылки

IXTP7N60PM

+БОМ

MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB

  • ПроизводительИКСИС

  • Мфр. Часть #IXTP7N60PM

  • В наличии3978

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series Polar™
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 1.1Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5.5V @ 100µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1180 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 41W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220-3

Продукты, связанные с IXTP7N60PM