Изображения являются только для ссылки
IXTT10P50
+БОМMOSFET P-CH 500V 10A TO268
-
ПроизводительИКСИС
-
Мфр. Часть #IXTT10P50
-
Лист данных IXTT10P50 DataSheet
-
В наличии5943
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | IXYS |
| Package / Case | Box |
| Part Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 900mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 4700 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-268AA |
