IXTV02N250S

Изображения являются только для ссылки

IXTV02N250S

+БОМ

MOSFET N-CH 2500V 200MA PLUS220

  • ПроизводительИКСИС

  • Мфр. Часть #IXTV02N250S

  • Лист данных IXTV02N250S DataSheet

  • В наличии8497

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 2500 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 200mA (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 450Ohm @ 50mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 7.4 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 116 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PLUS-220SMD

Продукты, связанные с IXTV02N250S