JAN1N5618US

Изображения являются только для ссылки

JAN1N5618US

+БОМ

DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

  • ПроизводительТехнология микрочипов

  • Мфр. Часть #JAN1N5618US

  • Лист данных JAN1N5618US DataSheet

  • Пакет SQ-MELF, A

  • В наличии7074

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Microchip Technology
Package Bulk
Series Military, MIL-PRF-19500/429
ProductStatus Discontinued at Digi-Key
DiodeType Standard
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) 600 V
Current-AverageRectified(Io) 1A
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If 1.3 V @ 3 A
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ReverseRecoveryTime(trr) 2 µs
Current-ReverseLeakage@Vr 500 nA @ 600 V
MountingType Surface Mount
Package/Case SQ-MELF, A
SupplierDevicePackage D-5A

Продукты, связанные с JAN1N5618US

  • Быстрая цитата

  • Отправьте запрос на котировку JAN1N5618US Используя эту форму, мы ответим в течение 12 часов.