Изображения являются только для ссылки
JAN1N5621US
+БОМDIODE GEN PURP 800V 1A D5A
-
ПроизводительТехнология микрочипов
-
Мфр. Часть #JAN1N5621US
-
Лист данных JAN1N5621US DataSheet
-
Пакет SQ-MELF, A
-
В наличии3217
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Microchip Technology |
| Package / Case | Bulk |
| Series | Military, MIL-PRF-19500/429 |
| Part Status | Discontinued at Digi-Key |
| Diode Type | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 1A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 3 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 300 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500 nA @ 800 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | D-5A |
