JAN1N6630US

Изображения являются только для ссылки

JAN1N6630US

+БОМ

DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

  • ПроизводительТехнология микрочипов

  • Мфр. Часть #JAN1N6630US

  • Лист данных JAN1N6630US DataSheet

  • Пакет SQ-MELF, E

  • В наличии4605

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Microchip Technology
Package Bulk
Series Military, MIL-PRF-19500/590
ProductStatus Active
DiodeType Standard
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) 900 V
Current-AverageRectified(Io) 1.4A
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If 1.4 V @ 1.4 A
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ReverseRecoveryTime(trr) 50 ns
Current-ReverseLeakage@Vr 2 µA @ 900 V
MountingType Surface Mount
Package/Case SQ-MELF, E
SupplierDevicePackage D-5B

Продукты, связанные с JAN1N6630US

  • Быстрая цитата

  • Отправьте запрос на котировку JAN1N6630US Используя эту форму, мы ответим в течение 12 часов.