JANTXV1N5809URS

Изображения являются только для ссылки

JANTXV1N5809URS

+БОМ

DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

  • ПроизводительТехнология микрочипов

  • Мфр. Часть #JANTXV1N5809URS

  • Пакет SQ-MELF, B

  • В наличии8711

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Microchip Technology
Package / Case Bulk
Series Military, MIL-PRF-19500/477
Part Status Active
Diode Type Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100 V
Current - Average Rectified(Io) 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 875 mV @ 4 A
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 30 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 5 µA @ 100 V
Capacitance @ Vr F 60pF @ 10V, 1MHz
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package B, SQ-MELF

Продукты, связанные с JANTXV1N5809URS