MBR200100CTR

Изображения являются только для ссылки

MBR200100CTR

+БОМ

DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER

  • Производительполупроводника GeneSiC

  • Мфр. Часть #MBR200100CTR

  • Пакет Twin Tower

  • В наличии2249

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier GeneSiC Semiconductor
Package / Case Bulk
Part Status Active
Diode Configuration 1 Pair Common Anode
Diode Type Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100 V
Current - Average Rectified(Io)(per Diode) 200A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 840 mV @ 100 A
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 5 mA @ 20 V
Mounting Type Chassis Mount

Продукты, связанные с MBR200100CTR

  • Быстрая цитата

  • Отправьте запрос на котировку MBR200100CTR Используя эту форму, мы ответим в течение 12 часов.