Изображения являются только для ссылки
MBR200200CT
+БОМDIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER
-
Производительполупроводника GeneSiC
-
Мфр. Часть #MBR200200CT
-
Лист данных MBR200200CT DataSheet
-
Пакет Twin Tower
-
В наличии6236
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Active |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Current - Average Rectified(Io)(per Diode) | 100A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920 mV @ 100 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 mA @ 200 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Chassis Mount |
