MBR40030CT

Изображения являются только для ссылки

MBR40030CT

+БОМ

DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER

  • Производительполупроводника GeneSiC

  • Мфр. Часть #MBR40030CT

  • Лист данных MBR40030CT DataSheet

  • Пакет Twin Tower

  • В наличии7007

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier GeneSiC Semiconductor
Package Bulk
ProductStatus Active
DiodeConfiguration 1 Pair Common Cathode
DiodeType Schottky
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) 30 V
Current-AverageRectified(Io)(perDiode) 200A
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If 650 mV @ 200 A
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current-ReverseLeakage@Vr 5 mA @ 20 V
OperatingTemperature-Junction -55°C ~ 150°C
MountingType Chassis Mount
Package/Case Twin Tower

Продукты, связанные с MBR40030CT

  • Быстрая цитата

  • Отправьте запрос на котировку MBR40030CT Используя эту форму, мы ответим в течение 12 часов.