MBR40080CTR

Изображения являются только для ссылки

MBR40080CTR

+БОМ

DIODE MODULE 80V 200A 2TOWER

  • Производительполупроводника GeneSiC

  • Мфр. Часть #MBR40080CTR

  • Лист данных MBR40080CTR DataSheet

  • Пакет Twin Tower

  • В наличии7872

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier GeneSiC Semiconductor
Package / Case Bulk
Part Status Active
Diode Configuration 1 Pair Common Anode
Diode Type Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 80 V
Current - Average Rectified(Io)(per Diode) 200A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 840 mV @ 200 A
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 5 mA @ 20 V
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Mounting Type Chassis Mount

Продукты, связанные с MBR40080CTR

  • Быстрая цитата

  • Отправьте запрос на котировку MBR40080CTR Используя эту форму, мы ответим в течение 12 часов.