Изображения являются только для ссылки
MS2N5116
+БОМJFET
-
ПроизводительТехнология микрочипов
-
Мфр. Часть #MS2N5116
-
В наличии3587
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Microchip Technology |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Voltage - Breakdown(V(BR)GSS) | 30 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0) | 5 mA @ 15 V |
| Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id | 1 V @ 1 nA |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 27pF @ 15V |
| Rds On | 175 Ohms |
| Power - Max | 500 mW |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |