Изображения являются только для ссылки
MUR2X030A10
+БОМDIODE GEN PURP 1000V 30A SOT227
-
Производительполупроводника GeneSiC
-
Мфр. Часть #MUR2X030A10
-
Лист данных MUR2X030A10 DataSheet
-
Пакет SOT-227-4
-
В наличии7225
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Obsolete |
| Diode Configuration | 2 Independent |
| Diode Type | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000 V |
| Current - Average Rectified(Io)(per Diode) | 30A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.35 V @ 30 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 85 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 1000 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Mounting Type | Chassis Mount |
