Изображения являются только для ссылки
DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
-
Производительполупроводника GeneSiC
-
Мфр. Часть #MURTA400120
-
Лист данных MURTA400120 DataSheet
-
Пакет Three Tower
-
В наличии5001
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Active |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Current - Average Rectified(Io)(per Diode) | 200A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.6 V @ 200 A |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 1200 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Chassis Mount |
