NTHD2102PT1G

Изображения являются только для ссылки

NTHD2102PT1G

+БОМ

MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier onsemi
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Part Status Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3.4A
Rds On(Max) @ Id Vgs 58mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 16nC @ 2.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 715pF @ 6.4V
Power - Max 1.1W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Продукты, связанные с NTHD2102PT1G