NTHD5903T1G

Изображения являются только для ссылки

NTHD5903T1G

+БОМ

MOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFET

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk
Part Status Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2.2A
Rds On(Max) @ Id Vgs 155mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 600mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V
Power - Max 1.1W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Продукты, связанные с NTHD5903T1G