NXPSC08650B6J

Изображения являются только для ссылки

NXPSC08650B6J

+БОМ

DIODE SCHOTTKY 650V 8A D2PAK

  • Производителькомпанией WeEn Semiconductors

  • Мфр. Часть #NXPSC08650B6J

  • Пакет TO-263-3

  • В наличии3576

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier WeEn Semiconductors
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Part Status Active
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Current - Average Rectified(Io) 8A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 8 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 230 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr F 260pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package D2PAK

Продукты, связанные с NXPSC08650B6J