NXPSC08650B6J

Изображения являются только для ссылки

NXPSC08650B6J

+БОМ

DIODE SCHOTTKY 650V 8A D2PAK

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier WeEn Semiconductors
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Active
DiodeType Silicon Carbide Schottky
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) 650 V
Current-AverageRectified(Io) 8A
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If 1.7 V @ 8 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
ReverseRecoveryTime(trr) 0 ns
Current-ReverseLeakage@Vr 230 µA @ 650 V
Capacitance@VrF 260pF @ 1V, 1MHz
MountingType Surface Mount
Package/Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SupplierDevicePackage D2PAK

Продукты, связанные с NXPSC08650B6J

  • Быстрая цитата

  • Отправьте запрос на котировку NXPSC08650B6J Используя эту форму, мы ответим в течение 12 часов.