P3M173K0T3

Изображения являются только для ссылки

P3M173K0T3

+БОМ

SICFET N-CH 1700V 4A TO-220-3

  • ПроизводительПолупроводник PN Junction

  • Мфр. Часть #P3M173K0T3

  • В наличии275

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier PN Junction Semiconductor
Package / Case Tube
Series P3M
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4A
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 15V
Rds On(Max) @ Id Vgs 2.6Ohm @ 0.6A, 15V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.2V @ 0.6mA (Typ)
Vgs(Max) +19V, -8V
Power Dissipation (Max) 75W
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220-2L

Продукты, связанные с P3M173K0T3