PBLS2002S,115

Изображения являются только для ссылки

PBLS2002S,115

+БОМ

TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO

  • ПроизводительКомпания NXP USA Inc.

  • Мфр. Часть #PBLS2002S,115

  • Лист данных PBLS2002S,115 DataSheet

  • Пакет SOIC-8

  • В наличии7155

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier NXP USA Inc.,Rochester Electronics, LLC
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk
Part Status Obsolete
Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 100mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50V, 20V
Resistor - Base(R1) 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base(R2) 4.7kOhms
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff(Max) 1µA, 100nA
Frequency - Transition 100MHz
Power - Max 1.5W
Mounting Type Surface Mount

Продукты, связанные с PBLS2002S,115