Изображения являются только для ссылки
PDTD113EUF
+БОМNOW NEXPERIA PDTD113EUF - SMALL
-
ПроизводительКомпания NXP USA Inc.
-
Мфр. Часть #PDTD113EUF
-
Лист данных PDTD113EUF DataSheet
-
Пакет SOT-323
-
В наличии7159
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Rochester Electronics, LLC |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Active |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector(Ic)(Max) | 500 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) | 50 V |
| Resistor - Base(R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base(R2) | 1 kOhms |
| DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce | 33 @ 50mA, 5V |
| Vce Saturation(Max) @ Ib Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
| Current - Collector Cutoff(Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | 225 MHz |
| Power - Max | 300 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
