PMGD130UN,115

Изображения являются только для ссылки

PMGD130UN,115

+БОМ

MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP

  • ПроизводительКомпания NXP USA Inc.

  • Мфр. Часть #PMGD130UN,115

  • Лист данных PMGD130UN,115 DataSheet

  • Пакет SC-88

  • В наличии6312

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier NXP USA Inc.,Rochester Electronics, LLC
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 1.2A
Rds On(Max) @ Id Vgs 145mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 1.3nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 83pF @ 10V
Power - Max 390mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Продукты, связанные с PMGD130UN,115