Изображения являются только для ссылки
PMGD8000LN,115
+БОМMOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
-
ПроизводительКомпания NXP USA Inc.
-
Мфр. Часть #PMGD8000LN,115
-
Лист данных PMGD8000LN,115 DataSheet
-
Пакет SC-88
-
В наличии8897
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | NXP USA Inc. |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | TrenchMOS™ |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 125mA |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 8Ohm @ 10mA, 4V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 0.35nC @ 4.5V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 18.5pF @ 5V |
| Power - Max | 200mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
