PSMN2R0-60PS,127

Изображения являются только для ссылки

PSMN2R0-60PS,127

+БОМ

NEXPERIA PSMN2R0-60PS - 120A, 60

  • ПроизводительКомпания NXP Semiconductors

  • Мфр. Часть #PSMN2R0-60PS,127

  • Лист данных PSMN2R0-60PS,127 DataSheet

  • В наличии4030

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Rochester Electronics, LLC
Package / Case Bulk
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 2.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 137 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 9997 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max) 338W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220AB

Продукты, связанные с PSMN2R0-60PS,127