Изображения являются только для ссылки
QJD1210010
+БОМMOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
-
ПроизводительКомпания Powerex Inc.
-
Мфр. Часть #QJD1210010
-
Лист данных QJD1210010 DataSheet
-
Пакет Module
-
В наличии3390
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Powerex Inc. |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 25mOhm @ 100A, 20V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 5V @ 10mA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 500nC @ 20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 10200pF @ 800V |
| Power - Max | 1080W |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |