Изображения являются только для ссылки
QS6K1TR
+БОМMOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
-
Производителькомпанией Rohm Semiconductor
-
Мфр. Часть #QS6K1TR
-
Лист данных QS6K1TR DataSheet
-
Пакет TSOT-23-6
-
В наличии4756
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Rohm Semiconductor |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Part Status | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 1A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 238mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 2.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 77pF @ 10V |
| Power - Max | 1.25W |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
