R1EV58064BDARBI#B2

Изображения являются только для ссылки

R1EV58064BDARBI#B2

+БОМ

IC EEPROM 64KB C-MOS 28DIP

  • Производителькомпанией Renesas Electronics America Inc

  • Мфр. Часть #R1EV58064BDARBI#B2

  • Пакет DIP-28

  • В наличии5375

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Package / Case Tray
Series R1EV58064BxxR
Part Status Obsolete
Memory Type Non-Volatile
Memory Format EEPROM
Technology EEPROM
Memory Size 64Kb (8K x 8)
Memory Interface Parallel
Write Cycle Time - Word Page 10ms
Access Time 100 ns
Voltage - Supply 2.7V ~ 5.5V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Through Hole

Продукты, связанные с R1EV58064BDARBI#B2