R6076MNZ1C9

Изображения являются только для ссылки

R6076MNZ1C9

+БОМ

MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247

  • Производителькомпанией Rohm Semiconductor

  • Мфр. Часть #R6076MNZ1C9

  • В наличии435

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Rohm Semiconductor
Package / Case Tube
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 76A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 55mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 115 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 7000 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 740W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247

Продукты, связанные с R6076MNZ1C9