Изображения являются только для ссылки
RFN10TF6S
+БОМDIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM
-
Производителькомпанией Rohm Semiconductor
-
Мфр. Часть #RFN10TF6S
-
Лист данных RFN10TF6S DataSheet
-
Пакет TO-220-2
-
В наличии2926
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Rohm Semiconductor |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Active |
| Diode Type | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 10A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.55 V @ 10 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220NFM |
