Изображения являются только для ссылки
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
-
ПроизводительКомпания Toshiba Semiconductor и Storage
-
Мфр. Часть #RN1911FETE85LF
-
Лист данных RN1911FETE85LF DataSheet
-
Пакет SOT-666
-
В наличии4975
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Part Status | Active |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector(Ic)(Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) | 50V |
| Resistor - Base(R1) | 10kOhms |
| DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Vce Saturation(Max) @ Ib Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Current - Collector Cutoff(Max) | 100nA (ICBO) |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Power - Max | 100mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
