Изображения являются только для ссылки
RQ6C050UNTR
+БОМMOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
-
Производителькомпанией Rohm Semiconductor
-
Мфр. Часть #RQ6C050UNTR
-
В наличии7968
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Rohm Semiconductor |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 30mOhm @ 5A, 4.5V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V |
| Vgs(Max) | ±10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 900 pF @ 10 V |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
