RX3G18BGNC16

Изображения являются только для ссылки

RX3G18BGNC16

+БОМ

NCH 40V 180A, TO-220AB, POWER MO

  • Производителькомпанией Rohm Semiconductor

  • Мфр. Часть #RX3G18BGNC16

  • В наличии7018

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Rohm Semiconductor
Package / Case Tube
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 180A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 1.64mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 168 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 12000 pF @ 20 V
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220AB

Продукты, связанные с RX3G18BGNC16