Изображения являются только для ссылки
S1JLR2G
+БОМ1A, 600V, GLASS PASSIVATED SMF R
-
ПроизводительТайваньская корпорация полупроводников
-
Мфр. Часть #S1JLR2G
-
Лист данных S1JLR2G DataSheet
-
Пакет DO-219AB
-
В наличии8094
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| ProductStatus | Active |
| DiodeType | Standard |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 600 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 1A |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.1 V @ 1 A |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 1.8 µs |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 5 µA @ 600 V |
| Capacitance@VrF | 9pF @ 4V, 1MHz |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | DO-219AB |
| SupplierDevicePackage | Sub SMA |
