SCH2080KEC

Изображения являются только для ссылки

SCH2080KEC

+БОМ

SICFET N-CH 1200V 40A TO247

  • Производителькомпанией Rohm Semiconductor

  • Мфр. Часть #SCH2080KEC

  • Лист данных SCH2080KEC DataSheet

  • В наличии3639

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Rohm Semiconductor
Package / Case Tube
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 40A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 18V
Rds On(Max) @ Id Vgs 117mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 4.4mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 106 nC @ 18 V
Vgs(Max) +22V, -6V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1850 pF @ 800 V
Power Dissipation (Max) 262W (Tc)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247

Продукты, связанные с SCH2080KEC