SF35GHB0G

Изображения являются только для ссылки

SF35GHB0G

+БОМ

DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD

  • ПроизводительТайваньская корпорация полупроводников

  • Мфр. Часть #SF35GHB0G

  • Пакет DO-201AD

  • В наличии4565

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Taiwan Semiconductor Corporation
Package / Case Bulk
Series Automotive, AEC-Q101
Part Status Active
Diode Type Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 300 V
Current - Average Rectified(Io) 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3 V @ 3 A
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 35 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 5 µA @ 300 V
Capacitance @ Vr F 60pF @ 4V, 1MHz
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package DO-201AD

Продукты, связанные с SF35GHB0G