Изображения являются только для ссылки
SH8M4TB1
+БОМMOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
-
Производителькомпанией Rohm Semiconductor
-
Мфр. Часть #SH8M4TB1
-
Лист данных SH8M4TB1 DataSheet
-
Пакет SOIC-8
-
В наличии7727
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Rohm Semiconductor |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Part Status | Active |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 9A, 7A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 18mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 15nC @ 5V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 1190pF @ 10V |
| Power - Max | 2W |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
